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設(shè)計振蕩回路的注意事項

2022-04-21 10:04:12 晶振廠家星光鴻創(chuàng)XGHC

晶振驅(qū)動能力

        驅(qū)動能力說明振蕩晶體單元所需電功率,其計算公式如下:

        驅(qū)動能力 (P) = i2?Re;其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。

晶體單元的等效電路晶振振蕩電路

星光鴻創(chuàng)晶體單元的等效電路

星光鴻創(chuàng)晶振振蕩電路

晶振振蕩補償

        除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請在電路設(shè)計時提供足夠的負(fù)極電阻。

晶體單元和振蕩器負(fù)極電阻檢查

星光鴻創(chuàng)晶體單元和振蕩器

星光鴻創(chuàng)負(fù)極電阻檢查

01.將電阻(r)跟晶體單元按串聯(lián)方式連接到電路。

02.調(diào)整(r),使得 振蕩發(fā)生(或停止)。

03.當(dāng)振蕩剛啟動(或停止)時,如(2)所述,測量(r)。

04.推薦的(r)

(r) > CI ×(5至 10))。

晶振負(fù)載電容

        如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。其中CS表示電路的雜散電容。

        頻率和負(fù)載電容特征圖

星光鴻創(chuàng)頻率和負(fù)載電容特征圖

晶振振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考

星光鴻創(chuàng)晶振振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考